主要芯片技术

这个部分介绍最常见用于主存储器的内存技术：
以下简介内存芯片技术的演变

Fast Page Mode (FPM 快速页面模式 )
FPM 曾经一度是计算机中最常见的 DRAM 形式。事实上，由于 FPM 如此常见，它被省略 “FPM” 而直接称为 “DRAM” ， FPM 以更快存取位于同一列的数据的速度提供了较早期内存科技更多的优势。

Extended Data Out (EDO 扩展数据输出 )
1995 年时， EDO 技术成为另一项内存革新。它与 FPM 技术相当类似，但稍微修改以加速连续内存存取，这项技术使内存控制器能够在下达指令的过程中省略几个步骤以节省时间。 EDO 技术使中央处理器能以比 FPM 技术快 10% 到 15% 的速度存取内存。

Synchronized DRAM (SDRAM 同步动态内 存 )
1996 年底， SDRAM 开始在系统中出现，不同于早期的技术， SDRAM 是为了与中央处理器的计时同步化所设计，这使得内存控制器能够掌握准备所要求的资料所需的准确时钟周期，因此中央处理器从此不需要延后下一次的数据存取。 SDRAM 芯片同时也应用 Interleaving 与 Bursting 功能以加快记忆读取的速度， SDRAM 有数种不同的速度以便与所使用的系统时钟同步化，举例而言， PC66 SDRAM 以 66MHz 的速度运作， PC100 SDRAM 以 100MHz 的速度运作， PC133 SDRAM 以 133MHz 的速度运作。以此类推，速度更快的 SDRAM 例如 200MHz 以及 266MHz 。

Double Data Rate Synchronized DRAM (DDR SDRAM 双倍数据速率内存 )
DDR SDRAM 是新一代的 SDRAM 技术。它使内存芯片能够在时钟周期的波峰及波谷传送数据，举例而言 , 使用 DDR SDRAM 时，一个 100MHZ 或 133MHz 内存总线 clock rate 能够达到 200MHz 或 266MHz 的实际数据传输速率，使用 DDR SDRAM 的系统预定 2000 年底上市。

Direct Rambus ( 直接总线式随机存储器 )
Direct Rambus 是一项挑战传统主存储器设计的全新 DRAM 结构以及接口标准。与较早的内存技术相比， Direct Rambus 技术的速度惊人，它以高达 800MHz 的速度透过一个称为 ”Direct Rambus Channel” 的狭窄 16 位总线传输数据，它的高传输速度是透过一项使内存能够在时钟周期波峰及波谷执行作业的 “double clocked” 功能，同时，每个 RDRAM 模块上的内存设备能够提供高达每秒 1.6GB 的频宽。

除了为主存储器所设计的芯片技术，市面上也有为影片应用所特别设计的内存技术

Video RAM (VRAM 视讯内存 )
VRAM 是影像版本的 FPM 技术， VRAM 通常具有两个而非一个接口，使内存能够运用一个频道来重新整理屏幕，而另一个来改变屏幕上的影像。对影片程序来说，它比一般的 DRAM 更有效率，但是由于影片内存芯片的使用量较主存储器芯片少，它的价格一般来说也较昂贵，所以，系统设计师可能会选择在影片系统中使用一般的 DRAM ，乃是依价格或效能表现的要求而决定。

Window RAM (WRAM 窗口内存 )
WRAM 是另一种应用在使用大量图像系统中的双接口内存，它与 VRAM 稍微不同的地方在于它较小的指定显示接口以及它支持 EDO 功能。

Synchronous GraphiCS RAM (SGRAM 同步图形 RAM )
SGRAM 是一个包括图像读写的 SDRAM 特制影片处理之产品。 SGRAM 同时也让数据能够以群组而非单个的方式读取以及修改，这项功能减少内存必须执行的读写动作，使处理过程更有效率，并因此提高图像控制器的效能表现。

Base Rambus 以及 Concurrent Rambus
早在成为主存储器的竞争者之前， Rambus 技术已经被应用在影片内存上。目前的 Rambus 主存储器技术称为 Direct Rambus 。两项较早期的技术分别称为 Base Rambus 以及 Concurrent Rambus 这两种形式的 Rambus ，早在几年前就已被应用在某些工作站的影片程序以及电视游乐器系统，例如任天堂 64 上。